研磨用組成物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-267854
公開番号（公開出願番号）：特開2004-107368
出願日： 2002年09月13日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】銅膜、タンタル化合物のバリア層、SiO2の絶縁層を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、SiO2の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。【解決手段】研磨材として一次粒子の平均粒径が30nmであるコロイダルシリカと平均粒径30nmmの(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン)共重合体(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン:95/5mol%)、シュウ酸、過酸化水素、ベンゾトリアゾールを0.5μmのカートリッジフィルターで濾過されたイオン交換水に混合し、高速ホモジナイザーで攪拌して均一に分散させて研磨用組成物を得た。

請求項（抜粋）：

(A)研磨材、(B)有機酸、(C)酸化剤、(D)酸化防止剤、および(E)水を含有する研磨用組成物であって、(A)研磨材が、平均粒径1nm-100nmの(メチルメタクリレート/ジビニルベンゼン)共重合体を主成分とする有機粒子と平均粒径が5nm-100nmの範囲にあるフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナのうち少なくとも1種類からなる無機粒子との混合物であり、有機粒子と無機粒子の重量配合比は60/40〜5/95の範囲にあり、研磨用組成物中の濃度が2〜10重量%であり、(B)有機酸の主成分がシュウ酸であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜1.0重量%であり、(C)酸化剤が過酸化水素であり、研磨用組成物中の濃度が0.03〜1.0重量%であり、(D)酸化防止剤がベンゾトリアゾールまたはその誘導体であり、研磨用組成物中の濃度が0.01〜1.0重量%であることを特徴とする研磨用組成物。

IPC (4件)：

C09K3/14 , B24B37/00 , G11B5/31 , H01L21/304

FI (6件)：

C09K3/14 550C , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z , B24B37/00 H , G11B5/31 M , H01L21/304 622D

Fターム (8件)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17 , 5D033DA01 , 5D033DA22 , 5D033DA31

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