特許
J-GLOBAL ID：200903005643262107
リード動作時短いアクセスタイムを持つ半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小堀 益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047187
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 一つの通路をライン及びライト通路に使いライトサイクル経過後、即時にリードサイクルで一対の入・出力ライン上の電位を一対のデータライン上の電位と同じレベルに維持させ、ライトサイクルからリードサイクルに変換時データライン上のフローティング状態をなくし、短いアクセスタイムを持つリード/ライトマルチプレクシング手段を持つ半導体メモリ装置を提供する。【構成】 このリード/ライトマルチプレクシング手段はトランジスタで構成され、センス増幅器が動作点で最大スウィングを持つように定電圧の適正なプリチャージ電圧をデータライン上に供給することによりセンシング能力を向上させるプリチャージ手段とトランジスタで構成され、プリチャージ手段と同一機能をするイコライジング手段を含む。【効果】 短いアクセスタイムで速いリード動作を行うことができる。
請求項（抜粋）：
メモリセルに接続され前記メモリセルに又は前記メモリセルからのリード/ライトデータを伝送する一対のビットラインと、前記ビットラインにそれぞれ連結された一対の入・出力ラインと、前記入・出力ラインに連結されセンスアンプを通じて外部にリード/ライトデータを伝送するための一対のデータラインを備え、前記ビットラインと前記入・出力ラインと前記データラインが互いに電気的な接続が行われる時に外部からのライトデータを受け前記入・出力ライン上に伝達し、反対にメモリセルからのリードデータをデータライン上に伝達する半導体メモリ装置において、前記ビットライン間に設置され、前記入・出力ライン及びデータライン上の電位を互いに同一のレベルに維持し、前記リード及びライトパスを単一パスに形成することを特徴とするリード/ライトマルチプレクシング手段を更に含む短いアクセスタイムを持つ半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 305
, G11C 11/34 U
