特許

J-GLOBAL ID：200903005644421098

セミリジッド同軸ケーブルおよびその製造方法

発明者： 北沢 弘 ,  片桐 直希 ,  山口 辰男 ,  笹井 重広 ,  山口 正
出願人/特許権者： 東京特殊電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102669
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283853
出願日： 1997年04月03日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 リフロー炉を通した時に,端末部での絶縁体の突き出しや外部導体のクラックの発生を防止することができ、めっきによる外部導体の形成が良好にでき、また細径化が可能なセミリジッド同軸ケーブルおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 中心導体1の外周に多孔質あるいは発泡絶縁層2a,及び充実絶縁層2bを順次設け2層構造の絶縁体2とすることにより、該絶縁体2の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ、該絶縁体最表面を充実体にできる。次に前記絶縁体2の外周に、外部導体3として,無電解めっきによりアンカー金属層3aを形成した後、電気めっきにより良導電性金属層3bを形成してセミリジッド同軸ケーブル5とする。

請求項（抜粋）：

中心導体の外周に絶縁体,及びめっきにより形成した外部導体を順次設けてなる同軸ケーブルであって、前記絶縁体は、該絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ、該絶縁体最表面が充実体であるフッ素系樹脂絶縁体であり、また前記外部導体は無電解めっきにより形成したアンカー金属層と電気めっきにより形成した良導電性金属層からなることを特徴とするセミリジッド同軸ケーブル。

IPC (3件)：

H01B 11/18 ,  H01B 13/00 553 ,  H01B 13/14

FI (3件)：

H01B 11/18 D ,  H01B 13/00 553 Z ,  H01B 13/14 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 同軸ケーブルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-230264   出願人：東京特殊電線株式会社