半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278140
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121384
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】ウェーハの裏面研磨後のソリを防止すること,また現在のウェーハ厚さよりもさらに薄く裏面研磨をしてもウェーハの割れ発生を防止する方法を提供する。【構成】ウェーハ支持部1に吸着された半導体ウェーハW上に、モータ3により高速回転している円板状でウェーハWの直径より小さい直径の研磨部2が下がってきて、ウェーハの内周部のみ研磨する。そして、外周部のみに厚い部分を残す。

請求項（抜粋）：

ウェーハの裏面を削る工程で、ウェーハ径よりも小さい研磨面で裏面を削り、ウェーハ外周に厚い部分を残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 331

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