特許

J-GLOBAL ID：200903005646639686

容量素子の製造方法

発明者： 長野 能久 ,  十代 勇治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180463
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023079
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】微細加工が困難な水素バリア膜を微小コンタクトホールエッチングすることなく、所定領域のみ導電性水素バリア層として上部の強誘電体または高誘電体からなる容量膜を含む容量素子とコンタクトプラグとを電気的に接続する。【解決手段】導電層1が形成された基板2上に層間絶縁膜3を形成し、層間絶縁膜中にコンタクトプラグ5が充填されたコンタクトホール4を形成する。次に、コンタクトプラグ上に導電性水素バリア膜6を形成し、その上に耐酸化材料からなるマスク7を形成する。次に、マスクが形成された基板表面を、酸素を含む雰囲気で熱処理して導電性水素バリア膜の所定領域を酸化させ、コンタクトプラグに接する領域の少なくとも一部を導電性水素バリア層8とし、導電性水素バリア層となる領域以外に絶縁性水素バリア層9を形成する。次に、マスクを除去した後、導電性水素バリア層上に容量素子を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電層が形成された基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜中に前記導電層に達するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内にコンタクトプラグを充填する工程と、前記コンタクトプラグ上を含む前記層間絶縁膜上に導電性水素バリア膜を形成する工程と、前記導電性水素バリア膜上に前記コンタクトプラグを覆うように耐酸化材料からなるマスクを形成する工程と、前記マスクが形成された前記基板表面を、酸素を含む雰囲気で熱処理して前記導電性水素バリア膜の所定領域を酸化させることにより、前記コンタクトプラグに接する領域の少なくとも一部を導電性水素バリア層とし、前記導電性水素バリア層となる領域以外を絶縁性水素バリア層とする工程と、前記マスクを除去する工程と、前記導電性水素バリア層上に前記コンタクトプラグに電気的に接続するように下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に強誘電体または高誘電体からなる容量膜を形成する工程と、前記容量膜上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする容量素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L27/105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L27/10 444C ,  H01L21/316 S ,  H01L27/10 621B

Fターム (22件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR01 ,  5F083JA05 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33