特許

J-GLOBAL ID：200903005654565756

半導体レーザ素子

発明者： 国安 利明 ,  福永 敏明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070039
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164617
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 GaN系の材料からなる半導体レーザ素子において、低出力から高出力までガウス型の高信頼性の高品位なビームを得る。【解決手段】 GaN膜14上に、n-GaNコンタクト層15、n-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層16、n-Ga1-y2Aly2N光導波層17、Inx2Ga1-x2N/Inx1Ga1-x1N多重量子井戸活性層18、p-Ga1-y3Aly3Nキャリアブロッキング層19、p-Ga1-y2Aly2N光導波層20、p-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層21、p-GaNコンタクト層22をこの順に成長する。p-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層21までエッチングして、リッジ部を形成し、リッジ部の端面の領域(L)のp-GaNコンタクト層22を除去し、絶縁膜26を形成して端面近傍を電流非注入とする。

請求項（抜粋）：

一対の電極の一方を備えたGaN層上に、少なくとも、GaN系の半導体からなる第一導電型クラッド層、活性層、GaN系の半導体からなる第二導電型クラッド層、第二導電型GaNコンタクト層および他方の電極がこの順に積層されてなる半導体レーザ素子において、対向する2つの共振器端面の少なくとも一方の端面近傍が電流非注入領域となっていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (10件)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA17 ,  5F073EA28