特許

J-GLOBAL ID：200903005659353030

半導体記憶装置

発明者： 湯次 達之 ,  大西 茂夫 ,  田中 研一 ,  崎山 恵三
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220871
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041502
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【構成】 MOSトランジスタ4,5を通して、キャパシタ電極6,7に異なる電位を印加し、キャパシタ絶縁膜として用いる強誘電体膜により発生する分極の向きにより、「0」,「1」の区別を行う。【効果】 ダミーセルを用いないため、セル面積の縮小化がは図れ、読み出し速度の高速化が可能である。また、分極特性を用いることにより、リフレッシュ動作が不要である。

請求項（抜粋）：

キャパシタ1個とMOSトランジスタ2個とでメモリセル1個を構成する半導体記憶装置であって、強誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として用いた前記キャパシタを設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371