特許

J-GLOBAL ID：200903005660990345

低放射線ガラス

発明者： 小野田 卓弘
出願人/特許権者： 日本電気硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-361428
公開番号（公開出願番号）：特開平6-211539
出願日： 1992年12月29日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】【目的】 その目的とするところは、固体撮像装置のカバーガラスとして用いた場合、膜付けしなくとも、放射線量が少ないため、固体撮像素子にソフトエラーを発生させたり、永久損傷を発生させることがない低放射線ガラスを提供することである。【構成】 重量百分率で、SiO2 62.0〜75.0%、Al2 O3 4.0〜10.0%、B2 O3 8.0〜15.0%、Na2 O 10.5〜12.5%、Li2 O+Na2 O 10.5〜20.0%、K2 O 0〜2.0%、MgO+CaO+SrO+ZnO 0.3〜21.0%、BaO 0〜1.0%、ZrO2 0〜1.0%の組成を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

重量百分率で、SiO2 62.0〜75.0%、Al2 O3 4.0〜10.0%、B2 O3 8.0〜15.0%、Li2 O+Na2 O7.0〜20.0%、K2 O 0〜2.0%、MgO+CaO+SrO+ZnO 0.3〜21.0%、BaO 0〜1.0%、ZrO2 0〜1.0%の組成を有することを特徴とする低放射線ガラス。

IPC (3件)：

C03C 3/085 ,  C03C 4/00 ,  H01L 27/14