半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224259
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】半導体素子を高密度にて実装して半導体装置を小型化し、かつ外部装置と半導体素子の電気的接続を安定に確保する半導体装置を提供する。【構成】底面にメタライズ金属層よりなる外部電極端子15を格子状に備えた半導体キャリア11に、Auバンプ9の形成された半導体素子10が表面側を下にして接合されている。半導体キャリア11の上面には電極12が形成されており、この電極12と半導体素子10上に形成されたAuバンプ9とが、導電性接着剤13で接合されている。そして、接合された半導体素子10と半導体キャリア11との間の隙間と半導体素子10の周辺端部は、エポキシ系の封止樹脂14により封止されている。この構成により、半導体素子を接続するためのワイヤーボンディングエリアが不必要となった。

請求項（抜粋）：

上面に複数の電極と底面に格子状に配列された外部電極端子とを有した絶縁性基体からなる半導体キャリアと、前記半導体キャリア上面の複数の電極と導電性接着剤により周辺電極が接合された半導体素子と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間隔と前記半導体素子周辺端部を充填被覆している樹脂とよりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/321 , H01L 23/04

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭57-204154
特開昭63-095638
特開昭61-035542

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