特許

J-GLOBAL ID：200903005667758081

電極配線の構造および製造方法

発明者： 山本 智彦 ,  島田 康憲 ,  後藤 政仁 ,  斎藤 尚史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155416
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347268
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【構成】窒素ガスを混入した気体雰囲気中でニオブ薄膜のスパッタリングを行い、また、電極配線の陽極酸化を行う場合にも、定電圧化成状態での陽極酸化膜の抵抗変化率を検出し、この抵抗変化率が所定値以下となることにより陽極酸化を終了させ、さらに、電極配線の陽極酸化の後に、空気雰囲気中で熱処理を行う。【効果】 陽極酸化膜をゲート絶縁膜として用いる薄膜トランジスタの電極配線等として特性の優れたニオブ薄膜を用いることができるようになる。

請求項（抜粋）：

少なくともニオブを含有する金属のスパッタリングを行うことによって絶縁基板上に薄膜を形成する工程と、該薄膜をパターニングすることによって電極配線を形成する工程と、該電極配線の少なくとも一部の陽極酸化を行う工程とを行う電極配線の製造方法であって、該スパッタリングは、窒素ガスを混入した気体雰囲気中で行われる電極配線の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-230767