特許

J-GLOBAL ID：200903005672378327

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  永山 進
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350151
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077132
出願日： 1984年04月20日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目 的】 P型半導体層またはN型半導体層、およびI型半導体層との接合界面において、再結合中心が減少すると共に、光アニール処理による結晶化の促進を向上させる。【構 成】 紫外光発生手段によって発生した100nmないし450nmの紫外光を100μmないし2mmの幅の線状に集光する工程と、非単結晶半導体が前記集光された線状紫外光で照射されるように配設する工程と、前記非単結晶半導体を前記集光された線状紫外光の長手方向に対して略直角方向に移動する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

紫外光発生手段によって発生した100nmないし450nmの紫外光を100μmないし2mmの幅の線状に集光する工程と、非単結晶半導体が前記集光された線状紫外光で照射されるように配設する工程と、前記非単結晶半導体を前記集光された線状紫外光の長手方向に対して略直角方向に移動する工程と、前記集光された線状紫外光の走査によって、前記非単結晶半導体を光アニール処理して結晶化を促進せしめる工程と、からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-081981
  
• 特開昭58-127318