特許
J-GLOBAL ID：200903005672573537
SIトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-278485
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125934
出願日： 1996年10月22日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 ソース電極を金属圧接体で圧接するようにしたSIトランジスタは、ソース電極を加圧したとき、押し潰されてゲート電極とのギャップが変化したり、短絡する場合があり、これを防止するため、あらかじめギャップを大きくとっておくと、面積利用率が低下する。【解決手段】 ソース3の表面に、絶縁膜6より突出したポリシリコン7を形成し、ソース電極3Cはこのポリシリコン7の表面に形成して、ソース電極3Cが金属圧接体5で圧接しても変形しないようにする。
請求項（抜粋）：
ドレイン,ゲートおよびソースからなり、ソースにソース電極を形成し、該ソース電極を金属圧接体で圧接してなるSIトランジスタにおいて、前記ソースの表面にポリシリコンを形成し、該ポリシリコンの表面にソース電極を形成したことを特徴とするSIトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/80 V
, H01L 29/44 Z
