特許
J-GLOBAL ID：200903005672882637
固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323928
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211324
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 100%の開口率を有するショットキバリア型固体撮像装置において光電荷発生部と電荷転送部間における電荷移動中の光電荷の拡散によるクロストークを低減する。【構成】 シリコン基板上に金属、または金属化合物層からなる光電荷発生部を形成し、その上にシリコン単結晶からなる電荷転送部を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上に形成された金属、または金属化合物の薄層よりなる光電荷発生部と、上記光電荷発生部上に形成された第1導電型の半導体層の内部、または上部に設けられた電荷転送部とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
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