特許

J-GLOBAL ID：200903005679771210

ダミーウエハ

発明者： 斉藤 一夫 ,  望月 保志 ,  山本 政司
出願人/特許権者： 日清紡績株式会社
代理人 (1件)： 小林 雅人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185581
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012692
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 従来技術の難点を解消し、反りが発生したり、半導体の汚染原因である金属を含んだりすることがなく、ふっ酸や塩酸等に対する耐蝕性や、耐熱性、更には繰り返し耐熱性を有し、しかも安価なダミーウエハを提供する。【解決手段】 本発明のダミーウエハは、ウエハに対する薄膜形成過程において使用されるダミーウエハであって、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を含むガスと反応させることにより得た炭化珪素からなることを特徴とするか、或いは、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を含むガスと反応させることにより得た炭化珪素からなると共に、その表面上にCVD法により炭化珪素層を形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ウエハに対する薄膜形成過程において使用されるダミーウエハであって、ガラス状カーボンを珪素或いは珪素を含むガスと反応させることにより得た炭化珪素からなることを特徴とするダミーウエハ。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 21/02 B ,  G01N 1/28 N