特許
J-GLOBAL ID：200903005682360280
半導体発光ダイオ-ド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-243431
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058910
出願日： 1991年03月15日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光ダイオードの発光部における電流分布を改善することができ、光取り出し効率及び輝度の向上をはかる。【解決手段】 n-GaAs基板11上に、p-InGaAlP活性層13をn型及びp型のInGaAlPクラッド層12,14で挟んだダブルヘテロ構造部を形成し、このダブルヘテロ構造部上の一部にp側電極17を形成し、基板11のダブルヘテロ構造部と反対側面にn側電極18を形成し、基板11と反対側の発光面上の一部に形成された電極17以外の面上から光を取り出す半導体発光ダイオードにおいて、第1の電極17とダブルヘテロ構造部のp型のクラッド層14との間にp-GaAlAs電流拡散層15を挿入し、この電流拡散層15によりp側電極直下以外の活性層13に対して十分な電流供給可能にした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された、InGaAlP系材料からなる活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上に形成された電流拡散層と、この電流拡散層の一部に形成された第1の電極と、基板のダブルヘテロ構造部と反対側面に形成された第2の電極とを具備してなることを特徴とする半導体発光ダイオード。
引用特許：
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