基板に導電性透明被膜を付着する方法およびデバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-531637
公開番号（公開出願番号）：特表2008-513601
出願日： 2005年09月07日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

本発明は、適切な強度およびパルス幅のマイクロ波パルスがプラズマを発生するためにマイクロ波注入デバイスを介して注入される反応器のプラズマ室内で、導電性透明被膜またはTCO被膜を基板に付着するプラズマ・インパルスCVD方法(PICVD方法)に関する。マイクロ波注入デバイス上での導電性被膜の形成は、保護デバイスによって特に抑制されるが、これは、そうしないと、マイクロ波透過率の減衰によってプラズマ強度が低減され、それによって結局プラズマ形成が妨げられるからである。層形成を抑制するために使用される保護デバイスは、たとえば、プラズマ室とマイクロ波注入デバイスの間のマイクロ波透過性被膜、マスキングまたは分離デバイス、たとえば、一定の間隔で、任意選択で清浄化されるかあるいは取り替えられるフィルムまたは接着テープでもよい。そのような基板はまた、被膜デバイスまたは分離デバイスとして使用されることもできる。層の所望しない形成はまた、プラズマ室内のガス組成を制御することによって効果的に抑制されることもできる。マイクロ波注入デバイスおよび/または保護デバイスは、マイクロ波透過を実質的に妨げず非導電性または弱導電性である被膜が堆積される温度レベルまで冷却できる。本発明はまた、本発明の方法を実施するPICVD反応器にも関する。

請求項（抜粋）：

キャリア・ガスおよび前駆ガスとともにプロセス・ガスを供給し、マイクロ波注入デバイスを用いてマイクロ波パルスを注入してプラズマを発生することによって反応器デバイスのプラズマ室内で基板に導電性透明被膜(TCO被膜)を付着するプラズマ・インパルスCVD方法(PICVD方法)であって、前記マイクロ波注入デバイス上での導電性被膜の形成は保護デバイスによって抑制される、プラズマ・インパルスCVD方法(PICVD方法)。

IPC (5件)：

C23C 16/511 , H01B 13/00 , B32B 9/00 , C23C 16/40 , C23C 16/44

FI (5件)：

C23C16/511 , H01B13/00 503B , B32B9/00 A , C23C16/40 , C23C16/44 B

Fターム (30件)：

4F100AA20A , 4F100AA33A , 4F100AD00B , 4F100AG00B , 4F100AK01B , 4F100BA02 , 4F100EH66A , 4F100EJ61A , 4F100GB41 , 4F100JG01 , 4F100JN01 , 4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA11 , 4K030BA16 , 4K030BA42 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030JA10 , 4K030KA45 , 4K030LA18 , 5G323BA03 , 5G323BA04 , 5G323BB03

引用特許：

出願人引用 (4件)

欧州特許第1220234号
ドイツ特許第10139305号A1
ドイツ特許第3926023号C2

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