特許
J-GLOBAL ID：200903005686496985
半導体製造装置、研削装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046680
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222536
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ウェーハを氷結膜を利用して研削装置に固着し、このウェーハを冷凍固定する際に氷結膜厚を均一にし、かつ、ウェーハに反りを生じさせない半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体ウェーハ1の素子領域が形成された主面Aを固着する氷結膜が形成される冷却面を有し、純水膜を冷凍して半導体ウェーハを接着する氷結膜31に変える冷却手段2と、支持台20に配置された純水膜の厚さを制御するスペーサ6と、半導体ウェーハを冷却手段の上に載置したときにその一部がスペーサに載置されるように半導体ウェーハを保持するバキュームパッド7と、この冷却手段に固着される半導体ウェーハの裏面を研削する研削手段とを備えている。冷却手段の近傍に配置されたスペーサの厚さを冷却手段の厚さと、氷結膜の厚さと、ウェーハの厚さとの和に等しくすることにより氷結膜の厚さを正確に制御する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの素子領域が形成された主面を固着する氷結膜が形成される冷却面を有し、水の膜を冷凍して前記半導体ウェーハを接着する前記氷結膜に変える冷却手段と、前記冷却手段を支持する支持台と、前記支持台の前記冷却手段が載置される領域の近傍に配置された前記水の膜の厚さを制御するスペーサと、前記半導体ウェーハをその素子領域が形成された主面が対向するように前記冷却手段の上に載置したときにその一部が前記スペーサに載置されるように前記半導体ウェーハを保持するバキュームパッドと、前記冷却手段が載置される作業台及びこの作業台の前記冷却手段が載置される研削領域の上に配置され、この冷却手段に固着される前記半導体ウェーハの裏面を研削する研削手段を有する研削装置とを備え、前記スペーサの厚さは、前記半導体ウェーハを支持するバキュームパッドと冷却手段を支持する支持台との間に前記冷却手段の厚さと、前記氷結膜の厚さと、前記半導体ウェーハの厚さとの和に等しいことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 331
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 1/00
H01L 21/304 331
, H01L 21/304 321 E
, H01L 21/304 321 H
, B24B 1/00 A
