特許
J-GLOBAL ID：200903005690315316
フラッシュメモリ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-278209
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130886
出願日： 1993年11月08日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 電気的に書き込み消去が可能な浮遊ゲートを有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板と、該半導体基板の表面部分に一定の間隔を於いて形成されたソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域間に設けられたチャネル領域と、該チャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられた浮遊ゲート電極と、その上に少なくとも一部分が積層するように層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記チャネル領域が傾斜部を有し、前記ソース領域がドレイン領域よりも相対的に上方又は下方に備えられていることを特徴とするフラッシュメモリ及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の表面部分に一定の間隔を於いて形成されたソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域間に設けられたチャネル領域と、該チャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられた浮遊ゲート電極と、その上に少なくとも一部分が積層するように層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記チャネル領域が傾斜部を有し、前記ソース領域がドレイン領域よりも相対的に上方又は下方に備えられていることを特徴とするフラッシュメモリ。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
