特許
J-GLOBAL ID：200903005695276980
ショットキーダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217722
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049363
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 逆方向バイアスにおけるショットキー障壁が高く、順方向バイアスにおけるショットキー障壁が低くできるショットキーダイオードを提供する。【解決手段】 4H-SiC又は6H-SiCからなるn- 型エピ層2の上面に該n- 型エピ層2よりもバンドギャップが小さな3C-SiCからなるn- 型層3を備えると共に、n- 型層3を貫通してn- 型エピ層2に達する溝部4を備え、Al膜5をn- 型層3及びn- 型エピ層2にショットキー接触させる。このような構成にて、逆バイアス時にはn- 型エピ層2に延びる空乏層によってメサ部分のn- 型層2とAl膜5との接触部をピンチオフし、逆バイアス時にはメサ部分の電位障壁を高くする。これにより、逆方向バイアスにおいてはn- 型エピ層2にて電位障壁の高くでき、順方向バイアスにおいてはn- 型層3にて電位障壁を低くすることができる。そして、ショットキーダイオードの消費電力低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
主表面(1a)とその反対面である裏面(1b)とを有し、高濃度で構成された第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に設けられ、前記半導体基板よりも低濃度である第1導電型の第1の半導体層(2)と、前記第1の半導体層の上面に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが小さい、低濃度の第1導電型の第2の半導体層(3)と、前記第2の半導体層を貫通して前記第1の半導体層に達する溝部(4)と、前記半導体基板の裏面にオーミック接触された第1の金属層(6)と、前記第2の半導体層にショットキー接触されていると共に、前記溝部を介して前記第1の半導体層にもショットキー接触された第2の金属層(7)とを備えていることを特徴とするショットキーダイオード。
FI (2件)：
H01L 29/48 P
, H01L 29/48 D
4M104AA03
, 4M104BB02
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104FF08
, 4M104GG02
, 4M104GG12
, 4M104HH15
, 4M104HH17
