半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206184
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】半導体素子が発する熱を大気中に良好に放出させ、半導体素子を常に低温として長期間にわたり正常、安定に作動させることができる半導体装置を提供することにある。【構成】ダイフレーム1に固定された半導体素子4の電極を外部リード端子2に接続するとともに該半導体素子4、ダイフレーム1及び外部リード端子2の一部を樹脂でモールドして成る半導体装置であって、前記ダイフレーム1及び外部リード端子2を熱伝導率が4.5 ×10-2 cal/cm ・sec ・°C以上の電気絶縁性基体6で熱的接続した。

請求項（抜粋）：

ダイフレームに固定された半導体素子の電極を外部リード端子に接続するとともに該半導体素子、ダイフレーム及び外部リード端子の一部を樹脂でモールドして成る半導体装置であって、前記ダイフレームおよび外部リード端子を熱伝導率が4.5 ×10-2 cal/cm ・sec ・°C以上の電気絶縁性基体で熱的接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/56 , H01L 23/28 , H01L 23/34 , H01L 23/373 , H01L 23/50

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