特許

J-GLOBAL ID：200903005699470314

熱応力によって誘発された亀裂を実質的に含まないCVDダイヤモンド薄膜の製造法

発明者： デビット・イール・スルツ ,  フライデル・シーグフリード・ネメヤー
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329754
公開番号（公開出願番号）：特開平5-306194
出願日： 1992年12月10日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 熱応力によって誘発された亀裂または断片化がほとんどないダイヤモンド薄膜の改良された製法。【構成】 本発明の、熱応力によって誘発された亀裂を実質的に含まないダイヤモンド薄膜を製造するための化学蒸着法では、薄い基板の両面にダイヤモンドを成長させて、対向する等しい引張り力をもつ2つのダイヤモンド被膜を、薄い基板の厚さより厚い厚さで基板の両面に形成する。

請求項（抜粋）：

薄い基体の両面上におけるダイヤモンド被膜の成長を促進する温度、圧力およびガス濃度条件下で、前記基体の両面を熱ならびに励起された水素および炭化水素ガス混合物に暴露し(ただし、基体の厚さはその上に成長したダイヤモンド被膜より薄い)、ダイヤモンド被膜を薄い基体から分離してダイヤモンド薄膜を提供することからなる、化学蒸着によってダイヤモンド薄膜を製造する方法。

IPC (6件)：

C30B 29/04 ,  B01J 19/00 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205