特許

J-GLOBAL ID：200903005706369365

感熱素子及びその製造方法

発明者： 山内 庄一 ,  服部 正 ,  岩見 基弘
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295459
公開番号（公開出願番号）：特開平7-146187
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】高感度の鉄シリサイド(β-FeSi2 )膜利用感熱素子及びその製造方法の提供。【構成】本発明の感熱素子は、N型又はi型の(111)単結晶シリコンからなる基板1に形成された50nm以下のヘテロエピタキシャル成長鉄シリサイド(β-FeSi2 )膜を感熱部として、その熱起電力又は負の抵抗温度係数を利用して温度を検出する。本発明の感熱素子の製造方法は、N型又はi型の(111)単結晶シリコン上にイオンスパッタリングとその後の650〜720°Cでのアニールにより優れたホール移動度及び、成膜温度に依存しない電気的特性をもったヘテロエピタキシャル成長鉄シリサイド(β-FeSi2 )膜を得る。

請求項（抜粋）：

N型又はi型の(111)単結晶シリコンからなる基板と、前記基板の表面に形成された厚さ100nm以下のヘテロエピタキシャル成長鉄シリサイド(β-FeSi2 )膜と、前記鉄シリサイド(β-FeSi2 )膜の両端表面にオーミックコンタクトされる一対の電極とを備えることを特徴とする感熱素子。

IPC (3件)：

G01K 7/16 ,  H01C 7/04 ,  H01L 35/00