特許
J-GLOBAL ID：200903005708560445
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327116
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144037
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 極薄ウェーハをダイシングする際の、チップの品質低下、作業性低下及びダイシング装置の損傷を防止する。【解決手段】 多数の貫通孔3Aを有する平板3上に両面粘着シート2でウェーハ1を貼着し、これをダイシング装置のダイシングテーブル4に固定した後、ウェーハ1をレーザ光で全厚切断して多数のチップ1Aに分割し、チップ1A上に片面粘着シート6を貼着した後、剥離工具8の剣山状のピン8Aを平板3の各貫通孔3Aと嵌合させてチップ1Aが貼着された該両面粘着シート2を平板3から突き離し、その両面粘着シート2の平板3から剥離した面に粘着テープ9を貼着した後、粘着テープ9に貼着された両面粘着シート2を片面粘着シート6に貼着されたチップ1Aから剥離する。
請求項（抜粋）：
ウェーハを両面粘着シートにより平板上に貼着する工程と、該ウェーハの表面側からレーザ光を照射して該ウェーハを全厚にわたり切断する工程と、該ウェーハの表面側全面に片面粘着シートを貼着する工程と、該両面粘着シートを該平板から剥離する工程と、該両面粘着シートの該平板から剥離した面に粘着テープを貼着する工程と、該両面粘着シートを該ウェーハから剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
B23K 26/00 D
, H01L 21/78 M
, H01L 21/78 B
, H01L 21/78 P
