特許
J-GLOBAL ID：200903005708915138
平面型磁気素子の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000372
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182853
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】薄膜プロセスを利用して平面型磁気素子を製造する場合に、基板として用いられるウェハの大きさにかかわらず、ウェハの反りを低減する。【構成】基板上に、磁性膜3、絶縁膜4、コイル導体5、絶縁膜6、磁性膜7を成膜する工程を有する平面型磁気素子の製造方法において、基板の温度を成膜後の反りが生じないように低温例えば100°C以下に維持する。
請求項（抜粋）：
基板上に、磁性膜、絶縁膜、コイル導体、絶縁膜、磁性膜の積層構造の膜を成膜する工程を有する平面型磁気素子の製造方法において、前記基板の温度を成膜後の反りが生じないように低温に維持することを特徴とする平面型磁気素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01F 41/04
, H01F 10/16
, H01F 17/00
, H01F 41/18
