半導体デバイスの製造方法、検査装置における検査条件出し方法、検査装置の選定方法並びに検査装置およびその方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061836
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250852
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】様々な製造工程において製造される半導体ウェハなどの被検査物の表面に状態に合わせて検出すべき異物等の検出物を最適な検査条件で検査できるようにした検査装置およびその方法を提供することにある。【解決手段】検査装置おいて前記被検査物上の検出物を予め設定してある複数の検査条件で一括して検査をしてそれぞれの検査条件毎に少なくとも検出物のデータを検出する過程と、該検出されたそれぞれの検査条件毎の検出物について突き合わせて突き合わせデータを作成する過程と、該作成された検出物についての突き合わせ結果データを基に分析して検出物を分類する過程と、該分類された検出物のデータをそれぞれの検査条件毎の検出物の座標データに付与して検査条件毎の分類された検出物に関するデータを作成する過程と、該作成された検査条件毎の分類された検出物に関するデータを基に適切な検査条件を選択する過程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

多数の製造工程を経て製造される半導体デバイスの製造方法であって、前記所望の製造工程で製造された半導体基板に対して検査装置を用いて複数の検査条件によって一括検出される検出物を分類して前記半導体基板の表面状態に適する検査条件を選定し、前記所望の製造工程で製造され半導体基板に対して前記検査装置を用いて前記選定された検査条件で検査して半導体基板の品質を管理して製造することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01N 21/956

FI (3件)：

H01L 21/66 J , H01L 21/66 Z , G01N 21/956 A

Fターム (35件)：

2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051AB02 , 2G051AC11 , 2G051BA10 , 2G051BA11 , 2G051BA20 , 2G051BB07 , 2G051BC01 , 2G051BC07 , 2G051CA03 , 2G051CA04 , 2G051CB05 , 2G051CB06 , 2G051DA07 , 2G051EA12 , 2G051EA14 , 2G051EB01 , 2G051EB02 , 2G051EC01 , 2G051EC02 , 2G051ED23 , 2G051FA10 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106CA38 , 4M106DA15 , 4M106DB08 , 4M106DB11 , 4M106DB21 , 4M106DJ17 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ40

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭62-011142
検査データ解析システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-346448 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

特開昭62-011142
検査データ解析システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-346448 出願人：株式会社日立製作所

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