特許

J-GLOBAL ID：200903005714903770

配線構造およびボンディングパッド開口の形成法

発明者： 大川 善郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-037676
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238732
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤボンディング性が良く、信頼性の良いボンディングパッドを有する半導体装置の積層配線の配線構造およびボンディングパッド開口形成法を提供する。【解決手段】 TiN膜13とAl合金膜14とAl2 O3 薄膜31とTiN膜15とにより積層配線30を構成し、プラズマエッチング法により、積層配線30上のプラズマSiN膜17およびCVDSiO2 膜16と、TiN膜15と、Al2 O3 薄膜31をエッチングして、ボンディングパッド部1にボンディングパッド開口32を形成する。

請求項（抜粋）：

ボンディングパッド部の配線にもなっている、複数の導電体膜から成る積層配線を有する半導体装置の積層配線の配線構造において、第1の高融点金属化合物膜と、前記高融点金属化合物膜上のAl系導電体膜と、前記Al系導電体膜上の所定膜厚の絶縁薄膜と、前記所定膜厚の前記絶縁薄膜上の第2の高融点金属化合物膜とで構成することを特徴とする半導体装置の積層配線の配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/60 301 P