特許
J-GLOBAL ID：200903005715028520
半導体装置の製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074246
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266222
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】耐湿信頼性に優れた常温で固体のエポキシ樹脂系封止材料を用い、樹脂封止作業が容易となる半導体装置の製法の提供。【解決手段】基板2の配線電極に、導電性接着材料4を介して半導体素子5の電極部を当接し搭載する。ついで、常温で固体の封止用樹脂組成物(A)を基板2の半導体素子5搭載面に載置して加熱溶融することにより、基板2と半導体素子5との空隙に、溶融状態の封止用樹脂組成物を充填し硬化させて基板2と半導体素子5との空隙に封止樹脂層6を形成する。(A)(a)結晶性エポキシ樹脂又は常温で固体の2官能エポキシ樹脂(b)ノボラック型フェノール樹脂(c)最大粒径が30μm以下のシリカ粉末(x)ペレット密度が真密度に対して99%以上(y)断面積1mm×2mmの角柱状ペレットを150°Cで10分間加熱溶融し、50μmの空隙を有する2枚の鏡面ガラス板間に侵入させた際の侵入距離が15mm以上
請求項（抜粋）：
配線回路基板の配線電極に、導電性接着材料を介して半導体素子の電極部を当接し上記基板に半導体素子を搭載し、ついで、常温で固体の封止用樹脂組成物(A)を上記基板の素子搭載面に載置して加熱溶融することにより、上記基板と半導体素子との空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂組成物を充填し硬化させて上記基板と半導体素子との空隙を樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製法。(A)下記の(a)〜(c)成分を含有し、上記(c)成分の含有割合が封止用樹脂組成物全体の50重量%以上80重量%未満の範囲に設定され、かつ、下記の特性(x)および(y)を備えたペレット状の封止用樹脂組成物。(a)結晶性エポキシ樹脂および常温で固体の2官能エポキシ樹脂の少なくとも一方。(b)ノボラック型フェノール樹脂。(c)最大粒径が30μm以下に設定された溶融シリカ粉末。(x)ペレット密度が真密度に対して99%以上。(y)断面積1mm×2mmの角柱状ペレットを150°Cで10分間加熱溶融し、50μmの空隙を有する2枚の鏡面ガラス板間に侵入させた際の侵入距離が15mm以上。
IPC (6件)：
H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/24 NHQ
, C08K 3/36 NKX
, C08L 63/00 NJS
H01L 21/56 R
, C08G 59/24 NHQ
, C08K 3/36 NKX
, C08L 63/00 NJS
, H01L 23/30 R
