材料劣化度の評価方法及びその装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：猪股祥晃 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072979
公開番号（公開出願番号）：特開2000-266699
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】無機材料において、点欠陥濃度の同定と同時に、微小な析出物に対して感度の高い容易な非破壊測定方法を確立し、材料劣化度を評価する。【解決手段】陽電子源1から陽電子e+ を被評価材料2に放射する。陽電子消滅時に発生する180 度反対方向のγ線(γ1,γ2)を両方同時に半導体検出器3,4で測定し、同時計数回路5で同時計数したものを弁別し、運動量分布を得る。これにより、エネルギー分解能を向上させ、511keV近傍のエネルギースペクトルを得ることができる。同時に、消滅γ線に沿った陽電子,電子運動量の軸方向成分(反対方向の消滅γ線の差を光速度cで割ったもの)に対する母相元素と析出部元素の比をとる。陽電子アフィニティの差により、陽電子がより小さいアフィニティの方向へ流れる特長を利用して、アフィニティの小さい元素を組成に持つ析出物のサイズ分布を把握することができる。これらから材料劣化度を定量的に評価することができる。

請求項（抜粋）：

2種類以上の元素で構成された材料に陽電子源から陽電子を放射して劣化度を評価する材料劣化度の評価方法において、前記陽電子源から放射された陽電子により前記材料の母相元素から添加元素の原子集合体に陽電子が集積する時、元素によって運動量分布が異なることを利用して前記添加元素の集合体の種類を決定することを特徴とする材料劣化度の評価方法。

IPC (3件)：

G01N 23/22 , G21C 17/003 , G21C 17/06

FI (3件)：

G01N 23/22 , G21C 17/00 E , G21C 17/06 X

Fターム (32件)：

2G001AA08 , 2G001CA02 , 2G001DA02 , 2G001DA06 , 2G001EA03 , 2G001FA01 , 2G001GA01 , 2G001KA03 , 2G001KA20 , 2G001LA02 , 2G001LA06 , 2G001LA20 , 2G001NA03 , 2G001NA07 , 2G001NA10 , 2G001NA11 , 2G001NA12 , 2G001NA15 , 2G001NA17 , 2G075AA01 , 2G075BA16 , 2G075CA04 , 2G075CA38 , 2G075DA15 , 2G075EA03 , 2G075EA07 , 2G075FA05 , 2G075FA18 , 2G075FB10 , 2G075FC20 , 2G075GA19 , 2G075GA21

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平3-176660
特許第2589398号
特開昭60-263900

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引用文献：

審査官引用 (1件)

“対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作”

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