特許

J-GLOBAL ID：200903005718288298

成膜装置及び成膜方法

発明者： 松本 賢治 ,  神力 博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051144
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252219
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明は蒸気圧の低い原料ガスを効率よく混合し且つシャワーヘッドに供給することのできる成膜装置及び成膜方法を提供することを課題とする。【解決手段】 複数の種類の原料ガスを原料ガス混合室16に個別に供給する。希釈用ガスをベンチュリ管14の開口部に向かって噴出し、ベンチュリ効果により原料ガス混合室16内の原料ガスをベンチュリ管14に引き込む。ベンチュリ管14内で均一に混合された原料ガスをシャワーヘッド12に供給する。

請求項（抜粋）：

基体上に薄膜を形成する成膜装置であって、処理チャンバと、該処理チャンバ内に設けられ、前記基体を載置する載置台と、前記処理チャンバに設けられ、前記載置台に載置された基体に対して原料ガスを供給するシャワーヘッドと、前記処理チャンバ内のガスを排気して前記処理チャンバを所定の真空圧に維持する排気手段と、複数の種類の原料ガスが個別に供給され、供給された原料ガスを混合する原料ガス混合室と、該原料ガス混合室と前記シャワーヘッドとの間に設けられ、前記混合ガスから流入する複数の種類の原料ガスを更に均一に混合して前記シャワーヘッドに供給する混合ガス供給通路とを有することを特徴とする成膜装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/455

Fターム (16件)：

4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030EA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045DP03 ,  5F045DP05 ,  5F045EC07 ,  5F045EE05 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045GB06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェハの処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-047775   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-171679   出願人：国際電気株式会社
• CVD装置及び膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-191236   出願人：松下電器産業株式会社
• CVD薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330674   出願人：大阪瓦斯株式会社