特許
J-GLOBAL ID：200903005721315603
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282955
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129889
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】TFTのプラズマ水素化において、TFTの性能を高めると共に半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】TFTを水素を含むガスによるプラズマ雰囲気に曝し、300〜400°Cの間の温度に保持してプラズマ水素化を行った後、200〜300°Cの温度まで急冷し、さらに200〜300°Cの温度で保持し、TFTのチャネル領域内及び外方へ水素を拡散させた後に室温まで冷却する。
請求項（抜粋）：
絶縁体膜上に、非単結晶半導体膜を基体とする薄膜トランジスタ(TFT)を形成する工程と、前記TFTの上部を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記TFTを300〜400°C範囲の温度に保持し水素を含むガスによるプラズマ雰囲気に曝す工程と、室温まで急冷する工程と、続けて、前記プラズマ雰囲気に曝した後のTFTに200〜300°C範囲の温度における熱処理を施す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/324
H01L 29/78 627 E
, H01L 21/324 Z
