特許
J-GLOBAL ID：200903005728875108
二次元画像検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022120
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板上に300°C以下の低温でCdTeやCdZnTeなどの半導体材料を形成することで、応答性がよく、動画にも対応できる二次元画像検出器を提出すること。【解決手段】 格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数の薄膜トランジスタ(TFT)5と、該薄膜トランジスタ(TFT)5を介して前記電極配線に接続される画素電極14とが設けられているアクティブマトリクス基板1と、接続電極が形成された対向基板2とが、異方導電性接着剤3により貼り合わされて構成されている。さらに、上記対向基板2は、12枚の基板に分割されて、タイル状に配置されている。
請求項（抜粋）：
格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えた二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備え、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は導電性材料によって電気的に接続されてなり、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との少なくとも一方の基板は、複数に分割されていることを特徴とする二次元画像検出器。
IPC (6件)：
H01L 27/146
, G01J 1/02
, G01T 1/24
, H01L 27/14
, H01L 31/09
, H04N 5/335
H01L 27/14 F
, G01J 1/02 Q
, G01J 1/02 N
, G01T 1/24
, H04N 5/335 E
, H01L 27/14 K
, H01L 31/00 A
