特許

J-GLOBAL ID：200903005735460665

II-VI族化合物半導体素子の製法

発明者： 小沢 正文 ,  中山 典一 ,  小林 俊雅 ,  宮嶋 孝夫 ,  成井 二三代
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097837
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310811
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 確実に、安定して目的とするII-VI族化合物半導体素子を製造できるようにする。【構成】 II-VI族化合物半導体素子の製造工程における加熱を伴う処理を400°C以下に選定して目的とするII-VI族化合物半導体素子を作製する。

請求項（抜粋）：

II-VI族化合物半導体素子の製造工程における加熱を伴う処理を400°C以下に選定したことを特徴とするII-VI族化合物半導体素子の製法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00