特許
J-GLOBAL ID：200903005736312503
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234192
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074769
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】多層配線構造の半導体装置において、配線領域と配線領域外とで表面高さの差が生ずることを防止し、高精度のパターンを得る。【構成】半導体基板1上に層間絶縁膜をはさんで形成された複数の配線層3,5,7と、配線領域外に形成された配線幅測定用パターン7Aと、そのパターンの下に形成された複数の高さ調節膜3A,5Aとから構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の配線領域に層間絶縁膜を介して形成された複数の配線と、配線領域外の前記半導体基板上に形成され前記配線領域の上層の配線または上層の層間絶縁膜と同一層からなり素子の接続に関係しない非素子パターンと、この非素子パターンの下に形成された高さ調節用膜とを含むことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 A
