特許

J-GLOBAL ID：200903005736422953

MISトランジスタの製造方法、MISトランジスタ、半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： 夏秋 信義 ,  酒井 哲
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145239
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326478
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 MISトランジスタのゲート電極下の絶縁膜の信頼性を向上させる。【解決手段】 MOSトランジスタ構造を有する不揮発性メモリセルMCのフローティングゲート電極5f下におけるトンネル絶縁膜5tiに窒素(V族元素)およびフッ素(VII族元素)を添加した。

請求項（抜粋）：

半導体基板に互いに離間して設けられた一対の半導体領域と、その一対の半導体領域の間のチャネル領域上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有するMISトランジスタの製造方法であって、前記絶縁膜を形成する際に、絶縁膜中に III族元素またはV族元素に加えてVII族元素を添加する工程を有することを特徴とするMISトランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371