陽極接合方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179112
公開番号（公開出願番号）：特開2001-010847
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【課題】陽極接合による反りを低減することができる陽極接合方法を提供する。【解決手段】ダイアフラム部8、ゲージ抵抗4、配線抵抗5、電極9、シリコン酸化膜2a、シリコン窒化膜6aなどを主表面側に形成したn形シリコンウェハ1’の裏面と、圧力導入孔11を形成したガラス基板10’の鏡面加工面とを室温にて重ね合わせた後、n形シリコンウェハ1’が下部ヒータ23側、ガラス基板10’が上部ヒータ24側になるように配置する。次に、ガラス基板10’に電極ピン25を接触させ、全体を真空チャンバ26内で昇温する。熱膨張係数の小さなn形シリコンウェハ1’と熱膨張係数の大きなガラス基板10’との熱変位が略等しくなる程度に、n形シリコンウェハ1’の温度がガラス基板10’の温度よりも高くなるように加熱した状態で直流電圧を所定時間だけ印加する。

請求項（抜粋）：

熱膨張係数の互いに異なる異種基板を重ね合わせ加熱して直流電圧を印加することにより陽極接合を行う際に、異種基板の熱変位が略等しくなる程度に熱膨張係数の小さい材料からなる第1の基板の温度が熱膨張係数の大きい材料からなる第2の基板の温度よりも高くなるように加熱した状態で上記直流電圧を印加することを特徴とする陽極接合方法。

Fターム (7件)：

4G061AA13 , 4G061BA03 , 4G061CA03 , 4G061CC01 , 4G061CD05 , 4G061DA22 , 4G061DA29

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