特許
J-GLOBAL ID：200903005743327451
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103560
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244386
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 複数のスタックゲート型メモリセルを含むフラッシュメモリにおいて、消去前書込動作を不要とすることにより一括消去動作に要する時間を短縮し、データの書換動作に要する時間も短縮することである。【構成】 消去時に、複数のメモリセルのソース1003からフローティングゲート1005に同時に電子を注入する。それにより、複数のメモリセルのしきい値電圧が上昇する。プログラム時に、選択されたメモリセルのフローティングゲート1005からドレイン1002に電子を放出する。それにより、選択されたメモリセルのしきい値電圧が下降する。
請求項（抜粋）：
複数行および複数列に配列された複数のメモリセルと、前記複数行に対応して設けられた複数のワード線と、前記複数列に対応して設けられた複数のビット線と、前記複数のメモリセルに共通に設けられたソース線とを備え、前記複数のメモリセルの各々は、対応するワード線に接続されたコントロールゲート、対応するビット線に接続されたドレイン、前記ソース線に接続されたソース、およびフローティングゲートを含み、消去時に、複数のメモリセルのフローティングゲートに同時に電子を注入する電子注入手段と、プログラム時に、選択されたメモリセルのフローティングゲートから電子を引抜く電子引抜き手段とをさらに備えた、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 27/115
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 307 C
, G11C 17/00 307 D
, H01L 29/78 371
