半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270071
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082896
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体レーザチップと、高周波重畳ICと、制御ICとを同一パッケージ内に収め、駆動信号を光ファイバより入力することにより、コンパクトな高周波重畳機能付半導体レーザ装置を得る。【構成】上記高周波重畳用IC4と、半導体レーザ素子1と、制御IC5とを窓付きパッケージ6中に封止するとともに、上記パッケージ内に設けたフォトダイオード7に対して信号を送信する光ファイバ10を上記パッケージを貫通して露出させ、上記パッケージ内に設けたフォトダイオードは、光ファイバを通じて外部より受信した光信号から得た信号電流を上記制御ICに供給して上記半導体レーザ素子1を制御する。

請求項（抜粋）：

レーザ駆動電流に高周波を重畳させる回路を備えた半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子を制御する制御ICと、上記制御ICからのレーザ駆動電流に高周波を重畳させる高周波重畳用ICとを窓付きパッケージ中に封止してなり、上記パッケージを貫通して設けられ上記制御ICに給電するリード端子と、上記パッケージ内に設けられ上記高周波重畳用ICに光制御信号を送るためのフォトダイオードと、上記パッケージを貫通して設けられ、上記フォトダイオードに光制御信号を送る光ファイバとを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

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