特許

J-GLOBAL ID：200903005756317030

複合磁性体基板およびプリプレグ

発明者： 川畑 賢一 ,  小更 恒
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373353
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189535
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率、低誘電正接の複合磁性基板およびプリプレグを提供し、ガラス転移点、分解開始点温度の高い高耐熱性複合磁性基板およびプリプレグを提供し、低吸水率で、誘電率、誘電正接の変化の少ない複合磁性基板およびプリプレグを提供し、銅箔などの金属箔との密着性に優れ、なおかつ肉薄で通常基板作成工程により製造可能な複合磁性基板およびプリプレグを提供し、誘電率がGHzの周波数帯域まで一定である複合磁性基板およびプリプレグを提供し、誘電率の温度依存性の少ない複合磁性基板およびプリプレグを提供する。【解決手段】 ポリビニルベンジルエーテル化合物に磁性粉が分散されている構成の複合磁性体基板とした。

請求項（抜粋）：

ポリビニルベンジルエーテル化合物に磁性粉が分散されている複合磁性体基板。

IPC (8件)：

H05K 1/03 610 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/46 ,  C07C 43/21 ,  C08F 12/22 ,  C08F299/00 ,  C08J 5/10 CEZ ,  C08J 5/24

FI (9件)：

H05K 1/03 610 R ,  H05K 1/03 610 H ,  H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 T ,  C07C 43/21 ,  C08F 12/22 ,  C08F299/00 ,  C08J 5/10 CEZ ,  C08J 5/24

Fターム (68件)：

4F072AA04 ,  4F072AA07 ,  4F072AB09 ,  4F072AB28 ,  4F072AD11 ,  4F072AD53 ,  4F072AE08 ,  4F072AF02 ,  4F072AG03 ,  4F072AG17 ,  4F072AH04 ,  4F072AH32 ,  4F072AJ04 ,  4F072AK02 ,  4F072AK03 ,  4F072AK05 ,  4F072AK14 ,  4F072AL13 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006GP03 ,  4H006GP12 ,  4J027AB01 ,  4J027AE01 ,  4J027AH03 ,  4J027AJ02 ,  4J027AJ08 ,  4J027BA01 ,  4J027BA04 ,  4J027BA05 ,  4J027BA07 ,  4J027BA15 ,  4J027BA22 ,  4J027CA10 ,  4J027CA12 ,  4J027CB03 ,  4J027CC02 ,  4J027CD02 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB16Q ,  4J100AE63Q ,  4J100AG71Q ,  4J100AL02Q ,  4J100AQ08Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA43 ,  5E346AA06 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA26 ,  5E346CC04 ,  5E346CC08 ,  5E346EE02 ,  5E346EE06 ,  5E346EE09 ,  5E346GG28 ,  5E346HH01 ,  5E346HH11 ,  5E346HH18