特許
J-GLOBAL ID:200903005757127234
光半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西教 圭一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-279518
公開番号(公開出願番号):特開平8-139367
出願日: 1994年11月14日
公開日(公表日): 1996年05月31日
要約:
【要約】【目的】 高密度の配線および実装を行うことができ、かつ装置の小型化を図ることができる光半導体装置を提供する。【構成】 光半導体装置21における基板11は、一方表面1a側から他方表面1b側に向けて開口面積が増大するようにスリット6が形成される。LEDチップ3は、発光部をスリット6に向け、かつバンプ10a,10bが配線パターン15,16に導電性ペースト11を介して電気的に接続され、各ICチップ4,7によって駆動される。LEDチップ3の発光部から出射される光は、スリット6を通過して出射方向18へと出射される。
請求項(抜粋):
表面に光半導体素子および接続用バンプを備える光半導体チップと、光半導体素子に対応する開口形状の透孔および接続用バンプに対応する電極パッドが一方表面側に設けられ、前記透孔は他方表面側に向かって開口面積が増大するように形成される合成樹脂成型基板とを含み、前記光半導体チップは、前記合成樹脂成型基板上に接続用バンプと電極パッドとの間のフェイスダウンボンディングによって搭載されることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件):
H01L 33/00
, H01L 21/60 311
引用特許:
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