特許

J-GLOBAL ID：200903005759995470

適合層メタライゼーション

発明者： ガスタブ エドワード ダーキッツ,ジュニヤ ,  ジョーゼ アルメイダ ローレンコ ,  ラメシュ アール.ヴァーマ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303210
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213713
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は適合層メタライゼーションを提供する。【解決手段】半導体及び半導体サブマウント間に生じる熱的及び機械的応力を軽減するための、適合層メタライゼーションである。適合層メタライゼーションは適合層、湿潤層及び障壁層を含む。適合層は熱的及び機械的応力を軽減する。湿潤層ははんだづけ中、適切に湿潤させる。障壁層ははんだボンディング中、ボンディング材料が適合層又は半導体に拡散するのを、防止する。

請求項（抜粋）：

半導体サブマウントへの半導体のはんだボンディング中、前記半導体を適切に湿潤し、はんだ材料が前記半導体中へ拡散するのを防止する目的で、前記半導体上に熱的及び機械的に導入される応力を最小にするための手段を含む半導体及び半導体サブマウント間に配置された適合層メタライゼーション。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52