特許
J-GLOBAL ID：200903005761579379
イオン注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232165
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047344
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】デバイスに金属不純物等の異物が混入することを防止して、デバイスの性能を向上させ、歩留りを改善することの可能なイオン注入装置を提供する。【構成】イオン分析マグネット13の内面にシリコン製のライナー14を貼ると共に、イオン分析マグネットと加速管20との間に、ビームマスク15、ゲート電極16、スリット18、低エネルギーイオン反射電極19の順に配置し、ゲート電極にビームゲート電源17からの出力を印加して、イオンビームをθ度偏向させ、更に、上記加速管の後方に偏向電極を配置して、イオンビームを-θ度偏向させる。
請求項（抜粋）：
イオン源より引出されたイオンビームの中からイオン注入に必要なイオンのみをイオン分析マグネットで選択してから、イオンビームを加速管で加速して、それをウエーハに注入するイオン注入装置において、上記イオン分析マグネットの真空容器内面にシリコン製のライナーを貼ると共に、上記イオン分析マグネットと上記加速管との間に、ビームマスク、ゲート電極、スリット、低エネルギーイオン反射電極の順に配置し、上記ゲート電極にビームゲート電源からの出力を印加して、イオンビームをθ度偏向させ、更に、上記加速管の後方に偏向電極を配置して、イオンビームを-θ度偏向させることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 37/05
, H01L 21/265
