特許
J-GLOBAL ID：200903005764083897
同軸型誘電体共振器の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306052
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145314
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 同軸型誘電体共振器を大量に製造する場合における製造工程の簡略化及び製造コストの低廉化を図る。【構成】 軸方向に中空部2を有し、一方の端面側に段差及び溝を有するコア1を例えば圧粉プレス成形あるいは射出成形によって作製した後、コア1の中空部2を含む全面に電極11を形成して共振器素体12を作製する。その後、共振器素体12の上面に液状のレジストを塗布し、熱により硬化させてレジスト膜13とする。その後、レジスト膜13に感光処理及び現像処理を施して、マスク14を形成する。次に、マスク14を形成した面に対して、平均粒径約10μmの例えばSiC粒子15を100m/s程度の流速で矩形ノズル16より噴射させることにより、共振器素体12の上面中、マスク14で被覆されていない領域aの露出する銅電極11をエッチング除去して開放端面6を形成する。
請求項（抜粋）：
軸方向に中空部を有する誘電体セラミックの開放端面を除く全面に、金属電極が形成された同軸型誘電体共振器の製造方法において、上記誘電体セラミックの全面に上記金属電極を形成した後、所定の平均粒径を有する微粒子を、上記開放端面となる領域の上記金属電極に噴射してエッチングすることにより、上記領域の上記金属電極を選択的に除去することを特徴とする同軸型誘電体共振器の製造方法。
IPC (2件)：
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