特許

J-GLOBAL ID：200903005768742410

光半導体装置およびその製造方法

発明者： 足立 秀人 ,  松田 賢一 ,  柴田 淳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062850
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267790
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 コヒーレント光を出力することのできる光双安定素子を実現する。【構成】 InP基板上に積層されたInP系材料からなるフォトトランジスタ上に、原子再配置層を介して、活性層にInGaAsを用い共振器ミラーにGaAs/AlAs半導体多層膜を用いた垂直共振器型面発光レーザを配置する。

請求項（抜粋）：

エミッタ層にInAlAs層、ベース層およびコレクタ層にInGaAsを用いたInP基板上のコレクタアップ型フォトトランジスタ上に、活性層にIn0.2Ga0.8As歪超格子層を用い、共振器ミラーにGaAs/AlAs半導体多層膜を用いた垂直共振器型面発光レーザが、数原子層からなる原子再配置層を介して積層された構成により、前記面発光レーザからの出力光が、前記面発光レーザと前記フォトトランジスタとの間で吸収の少ないことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/12