特許

J-GLOBAL ID：200903005768976543

無電解スズの2段メッキ方法

発明者： 岡田 隆 ,  伊内 祥哉 ,  石渡 荘介
出願人/特許権者： 石原薬品株式会社
代理人 (1件)： 豊永 博隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-127136
公開番号（公開出願番号）：特開2004-332022
出願日： 2003年05月02日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】無電解スズメッキ皮膜の疑似ホイスカーや色調ムラを防止する。【解決手段】可溶性第一スズ塩とアルカンスルホン酸を含有する無電解スズの第1浴により被メッキ物に0.3μm以下の膜厚でスズメッキを施す工程と、可溶性第一スズ塩とアルカノールスルホン酸を含有し、アルカンスルホン酸を含有しない第2浴を用いてスズメッキを施す工程とを組み合わせた、無電解スズの2段メッキ方法である。第1浴を用いたメッキ工程での膜厚制御と、組成の異なる第2浴でのメッキの組み合わせにより、スズ皮膜の疑似ホイスカーを防止し、皮膜外観を良好に保持できる。また、界面活性剤の含有形態を変え、或は、次亜リン酸類の含有濃度を変えた2段メッキを行っても同様の効果が得られる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

第1浴が可溶性第一スズ塩とアルカンスルホン酸を含有する無電解スズメッキ浴であり、第2浴が可溶性第一スズ塩とアルカノールスルホン酸を含有し、且つ、アルカンスルホン酸を含有しない無電解スズメッキ浴であって、 第1浴により被メッキ物に0.3μm以下の膜厚でスズメッキを施した後、第2浴によりスズメッキを施すか、又は、 第2浴によりスズメッキを施した後、第1浴により被メッキ物に0.3μm以下の膜厚でスズメッキを施すことを特徴とする無電解スズの2段メッキ方法。

IPC (1件)：

C23C18/31

FI (1件)：

C23C18/31 Z

Fターム (9件)：

4K022AA02 ,  4K022BA21 ,  4K022BA31 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB07 ,  4K022DB08 ,  4K022DB29