特許
J-GLOBAL ID：200903005769880671
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003366
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195379
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】 被加工物に対して最適なプラズマ分布に基づくプラズマ処理方法及び、比較的高真空度において高密度プラズマを発生することが可能で、かつプラズマ密度の分布に優れたプラズマ処理装置を提供する。【構成】 真空容器18内に基板24を載置した第1の電極23を設け、前記第1の電極23と対向する位置に電磁誘導コイル22及び第2の電極25を設けるとともに、これら電磁誘導コイル22及び第2の電極25に高周波電圧を印加する第1の高周波電源26を設けた。
請求項（抜粋）：
真空容器内に、誘導結合性と容量結合性が混在したプラズマを発生させ、この発生させたプラズマにより基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 C
