特許

J-GLOBAL ID：200903005770133294

化学気相成長法による膜堆積装置および膜堆積方法

発明者： 富永 浩二
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (1件)： 藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206513
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023005
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料(High-k)をSi基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。【解決手段】 Si基板20上に金属酸化膜10からなる誘電率の高い材料を成膜するための化学気相成長法による膜堆積方法であって、反応室2に前記金属酸化膜10の原料ガスGと還元性ガスH2 を導入してSi基板20上に金属層9を堆積し、続いて、前記還元性ガスH2 を酸化ガスO2 に切替えて前記反応室2に前記酸化ガスO2 を導入し、前記金属酸化膜10を堆積する。

請求項（抜粋）：

Si基板上に金属酸化膜からなる誘電率の高い材料を成膜する化学気相成長法による膜堆積装置であって、前記金属酸化膜の原料ガスの導入路に連通している反応室に、還元性ガスの導入路と酸化ガスの導入路とを切替え可能に接続してあることを特徴とする化学気相成長法による膜堆積装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA43 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045DC63 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140CE10 ,  5F140CE16