高耐圧半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316480
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】逆回復特性を改善できる高耐圧ダイオードを提供すること。【解決手段】第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の第1の主面に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の第2の主面に形成された第1導電型の第3の半導体層と、前記第2導電型の第2の半導体層上に設けられた第1の電極と、前記第1導電型の第3の半導体層上に設けられた第2の電極とを具備し、前記第2の半導体層は注入効率が比較的高い第1の領域と、注入効率が比較的低い第2の領域とを含み、前記第1の領域は前記第2の領域により取り囲まれ、前記第1の電極は少なくとも前記第1の領域に接続されている。

請求項（抜粋）：

第1と第2の主面を有する第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の前記第1の主面に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の前記第2の主面に形成された第1導電型の第3の半導体層と、前記第2導電型の第2の半導体層上に設けられた第1の電極と、前記第1導電型の第3の半導体層上に設けられた第2の電極とを具備し、前記第2の半導体層は注入効率が比較的高い第1の領域と、注入効率が比較的低い第2の領域とを含み、前記第1の領域は前記第2の領域により取り囲まれ、前記第1の電極は少なくとも前記第1の領域に接続されていることを特徴とする高耐圧半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/78 655 D , H01L 29/06 , H01L 29/72 , H01L 29/91 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-215070
特開昭61-214572
特開昭62-076670

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