特許

J-GLOBAL ID：200903005785072879

電子保護コーティングの形成方法

発明者： ロバート チャールズ カミレッティ ,  ローレン アンドリュー ハルスカ ,  ケイス ウィントン マイケル
出願人/特許権者： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-316389
公開番号（公開出願番号）：特開平9-176516
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：

【要約】【課題】 電子装置のハートチック保護及び盗視防止のためのシーリングの提供。【解決手段】 検査を妨害するために電子装置上にキャップを形成する方法。第一にシリカ含有セラミックを、電子装置の表面に塗布し、その表面を平坦にする。次に、前記シリカ含有セラミックの表面に、炭化ケイ素コーティングを塗布し、気密性の障壁を形成する。その後、この炭化ケイ素コーティングの表面に、多孔性シリカ含有セラミック層を形成する。最後に、この多孔性シリカ含有セラミックを、不透明な材料で含浸する。

請求項（抜粋）：

A)水素シルセスキオキサン樹脂を含有する組成物を、電子装置の表面に適用する工程;B)前記組成物を、水素シルセスキオキサン樹脂がシリカ含有セラミックに転化するのに十分な温度で加熱する工程;C)前記シリカ含有セラミックの表面に、炭化ケイ素コーティングを、化学的気相堆積法によって適用する工程;D)前記炭化ケイ素コーティングの表面に、水素シルセスキオキサン樹脂を含有する組成物を適用する工程;E)前記組成物を、水素シルセスキオキサン樹脂が多孔性シリカ含有セラミックに転化するのに十分な温度で加熱する工程;及びF)前記多孔性シリカ含有セラミックを、不透明な材料を含有する物質で含浸する工程を含む電子装置上の保護コーティングの形成法。

IPC (4件)：

C09D 1/00 PCJ ,  C04B 41/89 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

C09D 1/00 PCJ ,  C04B 41/89 Z ,  H01L 23/30 D