半導体およびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048532
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244104
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】実質的にアモルファス状態のシリコン膜を通常のアモルファスシリコンの結晶化温度よりも低い温度でのアニールによって結晶化させる方法を提供する。【構成】アモルファスシリコン膜の上もしく下に選択的に島状、線状、ストライプ状、ドット状のニッケル、鉄、コバルト、白金の単体、もしくはそれらの珪化物等を有する被膜、粒子、クラスター等を形成し、アモルファスシリコンの結晶化温度よりも20〜150°C低い温度でアニールすることによって、これを出発点として結晶化を進展させ、結晶シリコン膜を得る。

請求項（抜粋）：

基板上に選択的にニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つを含有する物体を形成する第1の工程と、前記ニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つを含有する物体を覆って、実質的にアモルファス状態のシリコン膜を形成する第2の工程と、第2の工程の後に基板を通常のアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度でアニールする第3の工程とを有することを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭63-142807
特開平2-260521
特開平2-140915

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