特許
J-GLOBAL ID：200903005791139365
電界効果トランジスタ及びその電界効果トランジスタの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354994
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175245
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 ソース抵抗を小さくし、雑音の発生を防ぐ。【構成】 半絶縁性GaAs基板1と、ソース電極6及びドレイン電極7夫々との間に、n+ 型GaAs層2,2のみを各別に介装させる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板上にバッファ層と、アンドープInGaAsと、n型AlGaAs層とを積層し、n型AlGaAs層上にゲート電極を形成している電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極夫々と、前記半絶縁性GaAs基板との間にn+ 型GaAs層のみを介装させていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
